三星的DDR5 DRAM模块可以传输高达7200mbps的数据传输速率
突出了- 三星放弃了传统的氮化硅组件
- 新的内存模块针对人工智能和ML操作
- DDR5 DRAM最初是由三星的竞争对手SK海力士推出的
周四，三星宣布扩大了DRAM内存组合，引入了基于高k金属门(HKMG)工艺技术的512GB DDR5模块。新内存模块的设计是为了满足超级计算、人工智能(AI)和机器学习(ML)等领域对高计算量、高带宽工作负载的需求。这家韩国公司声称，其DDR5 DRAM能够提供两倍于现有DDR4模块的性能，最高可达7200兆比特每秒(Mbps)的数据传输速率。
三星没有使用传统的氮化硅，而是选择使用HKMG技术作为新的内存模块的绝缘层，据称比DDR4模块降低了13%的功耗。该公司表示，新材料将能够减少当前的泄漏，并帮助模块达到新的性能水平。
三星在2018年设计GDDR6内存时首次使用了HKMG工艺。然而，它采用新模块的主要目的是吸引数据中心和企业客户，他们正在寻找处理人工智能、ML和数据分析操作的高速内存解决方案。
三星的DDR5 DRAM使用了8层16Gb的DRAM芯片，使用了通硅技术(TSV)来提供512GB的容量。不过，该公司正在对DDR5模块的不同变体进行取样，以满足随着时间推移对内存的不同需求。
尽管现有的台式机和服务器大多支持DDR4，英特尔已经对DDR5模块表现出了一些兴趣。这家芯片制造商也在与三星合作，专门开发新产品。
“英特尔的工程团队密切合作伙伴与记忆领导人像三星提供快速、低功耗DDR5内存performance-optimised兼容我们的即将到来的Intel Xeon处理器可伸缩,代号为蓝宝石急流,”卡罗琳杜兰说,副总裁和总经理的内存和IO英特尔技术在一份事先准备好的声明。
据彭博社(Bloomberg)周四报道，除了英特尔，三星还在与AMD合作，并向一些数据中心平台开发者发送了新内存模块的样品。
“通过将这种类型的过程创新DRAM生产,我们能够为客户提供高性能、然而节能所需的计算机内存解决方案能力医学研究,金融市场,自主驾驶,智能城市,“孙(说,副总统的DRAM内存规划/三星电子,使集团在一份声明中表示。
三星的DDR5 DRAM模块目前处于测试阶段，不过据说将于2021年底面市。
值得注意的是，三星并不是唯一一家开始研究DDR5标准的半导体公司。其本土竞争对手、第二大内存芯片制造商SK海力士(SK Hynix)去年10月推出了号称全球首个DDR5 DRAM。美国公司Rambus也在2017年9月宣布了DDR5内存接口芯片组的开发。